集成電路工藝原理章節(jié)練習(xí)(2018.12.06)

來源：考試資料網(wǎng)

1.判斷題離子注入是唯一能夠精確控制摻雜的手段。

2.名詞解釋橋鍵氧

連接兩個(gè)Si-O四面體的氧稱為橋鍵氧，是多數(shù)。

3.填空題硅片上的氧化物主要通過（）和（）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（）。

參考答案：熱生長(zhǎng)；淀積；薄膜

4.名詞解釋外延

在單晶襯底上按襯底晶向生長(zhǎng)一層新的單晶薄膜的工藝技術(shù)。

5.名詞解釋濕法腐蝕

通過使用特定的溶液與需要被腐蝕的薄膜材料進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，進(jìn)而除去沒有被光刻膠覆蓋區(qū)域的薄膜。

6.判斷題離子注入是一個(gè)物理過程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

7.名詞解釋射程R

離子從進(jìn)入靶到停止為止走過的總距離。

8.名詞解釋有限源擴(kuò)散

雜質(zhì)總量恒定；雜質(zhì)分布為高斯函數(shù)分布（Gaussian）；表面濃度隨著時(shí)間下降，結(jié)深隨著時(shí)間增加。

9.名詞解釋CMP

化學(xué)機(jī)械拋光。

10.名詞解釋分凝系數(shù)

參考答案：對(duì)于固相-液相的界面，由于雜質(zhì)在不同相中的溶解度不一樣，所以雜質(zhì)在界面兩邊材料中分布的濃度是不同的，這就是所謂雜質(zhì)的分凝...