A.常規(guī)照射,精確照射
B.體外照射,體內(nèi)照射
C.源皮距照射,等中心照射
D.同位素照射,加速器照射
E.X線照射,電子束照射
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A.步進(jìn)源駐留位相對較少
B.劑量節(jié)制點(diǎn)數(shù)目較多
C.多層面插值照射
D.駐留位間距大于1.0cm
E.駐留位間距較小
A.源軸距
B.源皮距
C.射野中心軸
D.源瘤距
E.皮下
A.1cm
B.1.5cm
C.2.5cm
D.0.5cm
E.2cm
A.臨床靶區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
B.腫瘤區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
C.治療區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
D.計(jì)劃靶區(qū)內(nèi)所接受的最小劑量
E.腫瘤區(qū)內(nèi)所接受的最大劑量
A.減少電離室桿效應(yīng)的影響
B.減少復(fù)合效應(yīng)的影響
C.減少漏電流
D.控制和減少電離室極化效應(yīng)
E.增加電離室的收集效率
最新試題
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
源皮距越小,百分深度劑量越大。