巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。

源皮距越小，百分深度劑量越大。

巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。

質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。

電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。

組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是（）。

半影為射野邊緣劑量隨離開(kāi)中心軸距離增加而急劇變化的范圍。

目前靶區(qū)劑量的精確性規(guī)定應(yīng)達(dá)到（）。

檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。

射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫　?/p>