進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。