A.順序
B.并行
C.即可順序也可并行
D.無(wú)法確定
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A.行為、元件及連接關(guān)系
B.元件、子程序、公用數(shù)據(jù)類型
C.名稱和端口的引腳等
D.可編譯的設(shè)計(jì)單元
A.行為、元件及連接關(guān)系
B.元件、子程序、公用數(shù)據(jù)類型
C.名稱和端口的引腳等
D.可編譯的設(shè)計(jì)單元
A、如果a+b=a+c,則b=c
B、如果ab=ac,則b=c
C、如果a*a=1,則a=1
D、如果a+a=a,則a=1
A.基本RS觸發(fā)器
B.同步D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.維持-阻塞D觸發(fā)器
A.8入8出
B.16入2出
C.16入
D.1入8出
最新試題
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案,比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn),設(shè)計(jì)方案是最佳嗎?簡(jiǎn)述理由。
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體?是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體?簡(jiǎn)述它們的作用。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是()
如果把D觸發(fā)器的輸出Q反饋連接到輸入D,則輸出Q的脈沖波形的頻率為CP脈沖頻率f的()。
簡(jiǎn)述用譯碼器或多路選擇器實(shí)現(xiàn)組合邏輯電路的不同之處。
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。