單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
A.2n
B.22n
C.>22n
D.<2n
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1.單項(xiàng)選擇題如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
A.6
B.8
C.10
D.12
2.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器
5.單項(xiàng)選擇題若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
A.RAM
B.COMP
C.ROM
D.MUX
最新試題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?
題型:?jiǎn)柎痤}
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題