單項(xiàng)選擇題小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()

A.2n
B.22n
C.>22n
D.<2n


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2.單項(xiàng)選擇題與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。

A.網(wǎng)絡(luò)電阻精度
B.模擬開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻
C.電流建立時(shí)間
D.加法器