A.環(huán)境溫度降低
B.摻雜金屬元素
C.增大環(huán)境光照強(qiáng)度
D.摻雜非金屬元素
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A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價(jià)元素，可形成N型半導(dǎo)體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導(dǎo)體構(gòu)成
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價(jià)元素，可形成P型半導(dǎo)體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成
最新試題
設(shè)v+、v－分別是理想運(yùn)放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設(shè)i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運(yùn)放工作于線性區(qū)，則（）。
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自地放大電路中的（）。
關(guān)于晶閘管的下列說法錯(cuò)誤的是（）。
集成運(yùn)算放大器的輸入阻抗/輸出阻抗特點(diǎn)是（）。
在三極管基本放大電路中，測(cè)試發(fā)現(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)已經(jīng)設(shè)置在放大區(qū)中央部分，但同時(shí)出現(xiàn)截止和飽和失真。這說明（）。
當(dāng)邏輯變量A=1、B=1、C=1時(shí)，求邏輯函數(shù)Y=A+B+C的值為（）。
晶閘管的結(jié)構(gòu)是（）。
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自于放大電路中的（）。
晶閘管導(dǎo)通后控制極電源線脫落，將產(chǎn)生的現(xiàn)象是（）。
二極管、三極管、晶閘管分別有（）個(gè)PN結(jié)，分別有（）個(gè)極。