A.空穴是多數(shù)載流子
B.在二極管中,P型半導(dǎo)體一側(cè)接出引線后,是二極管的正極
C.在純凈的硅襯底上,摻雜五價元素,可形成P型半導(dǎo)體
D.在NPN型的晶體管中,基區(qū)正是由P型半導(dǎo)體構(gòu)成
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A.三層四端
B.三層二端
C.四層三端
D.四層四端
A.測試錯誤
B.輸入的信號幅度過大
C.為消除失真,應(yīng)增大三極管基極靜態(tài)輸入電流
D.為消除失真,應(yīng)減小三極管基極靜態(tài)輸入電流
A.截止區(qū),放大區(qū)
B.截止區(qū),飽和區(qū)
C.放大區(qū),飽和區(qū)
D.飽和區(qū)
A.高輸入阻抗
B.直接耦合多級放大器
C.開環(huán)增益可達120dB以上
D.高輸出阻抗
A.晶閘管截止
B.流過陽極的電流減小
C.流過陽極的電流增大
D.流過陽極的電流不變
A.信號源
B.晶體管本身
C.直流電源
D.由負載灌入
A.同相和反相
B.直流和交流
C.電壓和電流
D.基極和集電極
A.線性區(qū)
B.飽和區(qū)
C.截止區(qū)
D.線性區(qū)或飽和區(qū)
A.輸出電阻很大
B.輸入電阻很小
C.工作時不需要外接直流電源
D.用于線性運算時,一定要采用閉環(huán)的形式
A.Au→∞ri→∞r0→0
B.Au→∞ri→0r0→∞
C.Au→∞ri→∞r0→∞
D.Au→0ri→0r0→0
最新試題
在三極管基本放大電路中,測試發(fā)現(xiàn)靜態(tài)工作點已經(jīng)設(shè)置在放大區(qū)中央部分,但同時出現(xiàn)截止和飽和失真。這說明()。
關(guān)于集成運放的下列說法,正確的是()。
可控硅關(guān)斷的條件是()。
在運算放大器中,輸出電壓U0與輸入電壓Ui的關(guān)系式為,其中“-”號表示()。
晶體管具有電流放大能力,而放大能源來自地放大電路中的()。
集成運算放大器的輸入阻抗/輸出阻抗特點是()。
對于運算放大器而言,下列說法錯誤的是()。
將單相半波整流電路中的二極管換成晶閘管并設(shè)計相關(guān)的觸發(fā)電路,則該電路的功能為()。
關(guān)于晶閘管應(yīng)用的下列說法錯誤的是()。
在三極管基本放大電路中,由于靜態(tài)工作點設(shè)置不合適而出現(xiàn)截止失真。為了改善失真波形,方便的做法是應(yīng)()。