單項選擇題金屬導體的電阻率隨溫度升高而（）；半導體的導電能力隨溫度升高而（）。
A．升高／升高
B．降低／降低
C．升高／降低
D．降低／升高
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1.單項選擇題關于N型半導體的下列說法，正確的是（）。
A．只存在一種載流子：自由電子
B．在二極管中，N型半導體一側接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，分散三價元素，可形成N型半導體
D．在PNP型的晶體管中，基區(qū)正是由N型半導體構成
2.單項選擇題關于P型半導體的下列說法，錯誤的是（）。
A．空穴是多數(shù)載流子
B．在二極管中，P型半導體一側接出引線后，是二極管的正極
C．在純凈的硅襯底上，摻雜五價元素，可形成P型半導體
D．在NPN型的晶體管中，基區(qū)正是由P型半導體構成
最新試題
對于單管共射極基本放大電路，若靜態(tài)工作點不合適，比較方便的做法是（）。
題型：單項選擇題
集成運放的兩個信號輸入端分別為（）。
題型：單項選擇題
理想的運算放大器應具有的特性是（）。（Au開環(huán)電壓放大倍數(shù)，ri輸入電阻，r0輸出電阻）
題型：單項選擇題
關于晶閘管應用的下列說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
晶閘管關斷條件是（）。
題型：單項選擇題
設v+、v－分別是理想運放的同相輸入端、反相輸入端的電位；設i+、i－分別是該兩端的輸入電流。若運放工作于線性區(qū)，則（）。
題型：單項選擇題
可控硅導通的條件是（）。
題型：單項選擇題
在三極管基本放大電路中，為了獲得最大的不失真電壓放大，應該將靜態(tài)工作點設置在三極管的（）。
題型：單項選擇題
晶體管具有電流放大能力，而放大能源來自于放大電路中的（）。
題型：單項選擇題
PNP型三極管處于放大狀態(tài)時，三個極的電位關系為（）。
題型：單項選擇題