光刻工藝對準誤差包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

光刻工藝的特點包括（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

注入損傷與注入離子的以下哪個參數(shù)無關？（）

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

摻雜后，退火的目的是（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。