單項選擇題

不論正膠或負膠，光刻過程中都包括如下步驟：
1.刻蝕
2.前烘
3..顯影
4.去膠
5.涂膠
6.曝光
7.堅膜
以下選項排列正確的是：（）。

A.2561437
B.5263471
C.5263741
D.5263714。

你可能感興趣的試題

單項選擇題

半導體器件生產(chǎn)中所制備的二氧化硅薄膜屬于（）。

A.結(jié)晶形二氧化硅
B.無定形二氧化硅

再分布

答案：將由預淀積引入的雜質(zhì)作為擴散源，在較高溫度下進行擴散。擴散的同時也往往進行氧化。再分布的目的是為了控制表面濃度和擴散深度...

<li id="fexmr"></li>

^{<li id="fexmr"></li>}