A.下降沿觸發(fā)的JK觸發(fā)器
B.維持－阻塞結(jié)構(gòu)的D觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.T觸發(fā)器
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A.基本RS觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.JK觸發(fā)器
D.D鎖存器
A.同步DC觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.基本RS觸發(fā)器
A.同步DC觸發(fā)器
B.同步RS觸發(fā)器
C.主從RS觸發(fā)器
D.基本RS觸發(fā)器
A.有2個(gè)穩(wěn)定狀態(tài)，即0態(tài)和1態(tài)
B.觸發(fā)器除了可以置0和置1外，還可以置為高阻態(tài)。
C.在外加輸入信號(hào)的觸發(fā)下，觸發(fā)器可以改變?cè)瓉淼臓顟B(tài)，具有置0和置1功能。
D.沒有外加信號(hào)作用時(shí)，觸發(fā)器可以保持原來的狀態(tài)不變。
A.基本RS觸發(fā)器
B.D觸發(fā)器
C.主從JK觸發(fā)器
D.邊沿JK觸發(fā)器
最新試題
采用浮柵技術(shù)的EPROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
TTL與非門閾值電壓UT的典型值是（）
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為（）
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是（）
一個(gè)VHDL模塊是否必須有一個(gè)實(shí)體和一個(gè)結(jié)構(gòu)體？是否可以有多個(gè)實(shí)體和結(jié)構(gòu)體？簡述它們的作用。
一個(gè)兩輸入端的門電路，當(dāng)輸入為10時(shí)，輸出不是1的門電路為（）
兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器，當(dāng)Q=1、Q=0時(shí)，兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)（）。
用1M×4的DRAM芯片通過（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是（）