A.飽和區(qū)
B.轉(zhuǎn)折區(qū)
C.線性區(qū)
D.截止區(qū)
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A.輸入級
B.放大級
C.中間級
D.輸出級
A.與非邏輯功能
B.與邏輯功能
C.提高電路的開關(guān)速度
D.降低電路的開關(guān)速度
A.設(shè)計合理的外電路(抗飽和電路)
B.加大UBE
C.選擇開關(guān)時間較小的管子
D.減小UBE
A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017
A.集電極開路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出
最新試題
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請判斷它的存儲容量為多少?
如要將一個最大幅度為5.1V的模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,要求輸入每變化20mV,輸出信號的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。
()在計算機系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,其中一個重要用途是構(gòu)成數(shù)據(jù)總線。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點是消除了()對轉(zhuǎn)換精度的影響。
判斷如下VHDL的操作是否正確,如不正確,請改正。字符a和b的數(shù)據(jù)類型是BIT,c是INTEGER,執(zhí)行c<=a+b。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
小容量RAM內(nèi)部存儲矩陣的字數(shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請說明理由。