多項(xiàng)選擇題下列器件屬于TTL集成門電路的是()

A.74LS00
B.74LS04
C.CD4511
D.CD4017


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1.多項(xiàng)選擇題TTL集成門電路輸出級(jí)一般采用()輸出形式。

A.集電極開路
B.三態(tài)門輸出
C.圖騰柱輸出
D.復(fù)合管和圖騰柱輸出

3.多項(xiàng)選擇題對(duì)TTL或門多余輸入端的處理,正確的是()

A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)

4.多項(xiàng)選擇題對(duì)TTL與門多余輸入端的處理,正確的是()

A.接地
B.接電源
C.懸空
D.與使用端并聯(lián)

5.多項(xiàng)選擇題與TTL電路相比,CMOS電路的特點(diǎn)是()

A.噪聲容限低
B.電源適用范圍寬
C.功耗極低
D.扇出能力強(qiáng)

最新試題

根據(jù)什么判斷簡(jiǎn)單電路中的險(xiǎn)象存在?

題型:?jiǎn)柎痤}

小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()

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10-4線優(yōu)先編碼器允許同時(shí)輸入()路編碼信號(hào)。

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兩個(gè)與非門構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。

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雙積分型數(shù)字電壓表是否需要取樣-保持電路?請(qǐng)說(shuō)明理由。

題型:?jiǎn)柎痤}

用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。

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一個(gè)兩輸入端的門電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門電路為()

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),要求輸入每變化20mV,輸出信號(hào)的最低位(LSB)發(fā)生變化,應(yīng)選用()位ADC。

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與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比,權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了()對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題