單項(xiàng)選擇題門電路與RC元件構(gòu)成的多諧振躊器電路中,隨著電容C充電,放電,受控門的輸入電壓uI隨之上升、下降,當(dāng)uI達(dá)到()時(shí),電路狀態(tài)迅速躍變。
A.Uoff
B.UT
C.UON
D.UOH
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1.單項(xiàng)選擇題在環(huán)形振蕩器中,為了降低振蕩頻率,通常在環(huán)形通道中串入()。
A.更多非門
B.電感L
C.RC環(huán)節(jié)
D.大容量電容
2.單項(xiàng)選擇題順序加工控制系統(tǒng)的控制時(shí)序可用()電路實(shí)現(xiàn)。
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
3.單項(xiàng)選擇題為了檢測周期性復(fù)現(xiàn)的脈沖列中是否丟失脈沖或停止輸出脈沖,可用()電路。
A.可重觸發(fā)單穩(wěn)
B.單觸發(fā)單穩(wěn)
C.施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器
4.單項(xiàng)選擇題欲增加集成單穩(wěn)電路的延遲時(shí)間tw,可以()。
A.提高VCC
B.降低VCC:
C.增大CX,
D.減小RX
5.單項(xiàng)選擇題CMOS精密單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)時(shí)間tw為()。
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
最新試題
若停電數(shù)分鐘后恢復(fù)供電,()中的信息能夠保持不變。
題型:單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸入短路電流IIS的參數(shù)規(guī)范值是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門是()
題型:單項(xiàng)選擇題
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
題型:單項(xiàng)選擇題
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是()可擦除的。
題型:單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸出高電平的參數(shù)規(guī)范值是()
題型:單項(xiàng)選擇題
TTL與非門輸出低電平的參數(shù)規(guī)范值是()
題型:單項(xiàng)選擇題
以下哪個(gè)編碼不能是二-十進(jìn)制譯碼器的輸入編碼()
題型:單項(xiàng)選擇題
以下代碼中為無權(quán)碼的為()。
題型:單項(xiàng)選擇題
ROM可以用來存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來實(shí)現(xiàn)()。
題型:單項(xiàng)選擇題