A.提高VCC
B.降低VCC：
C.增大CX，
D.減小RX
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A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
A.0.7RxCx
B.RxCx
C.1.1RxCx
D.2.2RxCx
A.≤2KΩ
B.≥2KΩ
C.≤700Ω
D.≥700Ω
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
A.施密特觸發(fā)器
B.單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
C.多諧振蕩器
D.集成定時(shí)器
最新試題
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)（）擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
電可擦除的PROM器件是（）
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為（）。
具有“有1出0、全0出1”功能的邏輯門(mén)是（）
試提出數(shù)字頻率計(jì)的三種設(shè)計(jì)方案，比較各種方案的特點(diǎn)。如果用HDPLD來(lái)實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)方案是最佳嗎？簡(jiǎn)述理由。
與倒T形電阻網(wǎng)絡(luò)DAC相比，權(quán)電流網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器的主要優(yōu)點(diǎn)是消除了（）對(duì)轉(zhuǎn)換精度的影響。
7系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。
什么是觸發(fā)器的不定狀態(tài)，如何避免不定狀態(tài)的出現(xiàn)？
如要將一個(gè)最大幅度為5.1V的模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，要求輸入每變化20mV，輸出信號(hào)的最低位（LSB）發(fā)生變化，應(yīng)選用（）位ADC。
27系列EPROM存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是（）可擦除的。