A、放置一只
B、在180°象限內(nèi)各放1只
C、至少均勻放3只
D、根據(jù)黑度要求而定
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、俘獲燈絲發(fā)射的雜散電子
B、限制燈絲電流的最大安培值；
C、減少靶散射的二次電子在玻璃管壁上產(chǎn)生的負(fù)電荷
D、與負(fù)電位相接
A、倍壓電路
B、半波自整流電路
C、全波整流電路
D、以上都不是
A、靜電加速器
B、加旋加速器
C、直線加速器
D、以上都是
A、一個(gè)變數(shù)
B、一個(gè)常數(shù)
C、在某一黑度范圍是常數(shù)
D、以上都不是
A、底片上相鄰區(qū)域的曝光量差
B、底片上相鄰區(qū)域的黑度差
C、膠片特性曲線的r值
D、曝光曲線上的tgQ值
最新試題
對檢測儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。
當(dāng)波束不再與缺陷相遇，則回波（）
缺陷檢測即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括（）、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。
渦流檢測線圈是在被檢測導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
當(dāng)波束中心線與缺陷面（）且回波最（）時(shí)，移動探頭使波束中心（），回波高度當(dāng)隨之下降。
對于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
無損探傷檢測采用的黑光燈和濾光片的作用是使其輻射波長范圍為（）mm，峰值波長為365mm。
對于圓盤形試件，常沿（）在圓面上進(jìn)行掃查。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì)，它反映子實(shí)體滿足需要的（）
掃描儀器的掃查的間距通常根據(jù)探頭的最小聲束（），保證兩次掃查之間有一定比例的覆蓋。