A、氣體
B、液體
C、固體
D、以上都不對(duì)
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A、波幅增益量
B、缺陷當(dāng)量尺寸
C、距離
D、以上都不對(duì)
A、遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)
B、近場(chǎng)區(qū)
C、過渡區(qū)
D、陰影區(qū)
A、大于實(shí)際尺寸
B、小于實(shí)際尺寸
C、接近實(shí)際尺寸
D、有較大誤差
A、近場(chǎng)區(qū)
B、擴(kuò)散區(qū)
C、非擴(kuò)散區(qū)
D、盲區(qū)
A、表面波
B、板波
C、疏密波
D、剪切波
最新試題
缺陷愈大，所遮擋的聲束也愈多，底波波高也就愈低，這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的（）
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射，相應(yīng)的可檢缺陷尺寸（）
波束截面中心聲能（），隨著與中心的距離的增大，聲能（）
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的（）和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
采用以（）為橫坐標(biāo)，以平底孔直徑標(biāo)注各當(dāng)量曲線作成實(shí)用AVG曲線。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生（）
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由（）構(gòu)成。
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng)，即可獲得缺陷的（）所在的位置，從而定出缺陷的平面位置。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)，當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí)，缺陷波高與缺陷面積成（）
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后，缺陷的埋藏深度可從熒光屏的（）上讀出。