多絲正比電離室探測(cè)器是（）

數(shù)字化X射線成像系統(tǒng)的量子檢測(cè)率可達(dá)（）

透過被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）

CR系統(tǒng)用成像板（IP）來(lái)接收X線的模擬信息，然后經(jīng)過模／數(shù)轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對(duì)IP的曝光過程就是信息采集。關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是（）

CR的中文全稱為（）DR的中文全稱為（）

CR圖像與X線成像比較，哪項(xiàng)表述不正確（）

直接數(shù)字化X射線攝影采用多少位的圖像數(shù)字化轉(zhuǎn)換（）

直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）

應(yīng)用非晶硒和薄膜晶體管陣列技術(shù)制成的探測(cè)器是（）

CR的缺點(diǎn)有（）