DR相比于CR（）

多絲正比電離室探測(cè)器是（）

CR的中文全稱為（）DR的中文全稱為（）

FPD能夠成為平板形狀，主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是（）

透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）

KonicaCR系統(tǒng)照射量1mR時(shí)對(duì)應(yīng)的S值為200，2mR對(duì)應(yīng)的S值是（）

間接DR中，位于FPD頂層的是（）

直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）

CR的缺點(diǎn)有（）

光激勵(lì)熒光體中，為改變熒光體的結(jié)構(gòu)和物理特性常摻入（）