A.非晶硒
B.碘化銫
C.鎢酸鈣
D.非晶硅
E.CCD
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A.薄膜晶體管技術(shù)
B.光敏照相機(jī)技術(shù)
C.光電倍增管技術(shù)
D.光激勵(lì)發(fā)光技術(shù)
E.非晶硒技術(shù)
A.Ⅱ+TV攝像機(jī)
B.成像板
C.閃爍體+CCD攝像機(jī)陣列
D.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
A.硒鼓檢測(cè)器
B.IP成像轉(zhuǎn)換器
C.直接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
D.間接轉(zhuǎn)換平板探測(cè)器
E.多絲正比室檢測(cè)器
A.成像方式
B.操作方式
C.床旁攝影
D.可應(yīng)用于常規(guī)攝影
E.與常規(guī)X線設(shè)備匹配
A.圖像存儲(chǔ)
B.成像能源
C.轉(zhuǎn)換介質(zhì)
D.成像方式
E.傳輸方式
最新試題
FPD能夠成為平板形狀，主要是探測(cè)器的單元陣列采用的是（）
CR的缺點(diǎn)有（）
透過(guò)被照體的X線照射到平板探測(cè)器的非晶硒層時(shí)，由于非晶硒的導(dǎo)電特性被激發(fā)出電子-空穴對(duì)，即一對(duì)正負(fù)電子。該電子-空穴對(duì)在外加偏置電壓形成的電場(chǎng)作用下被分離并反向運(yùn)動(dòng)，負(fù)電子跑向偏壓的正極，正電子跑向偏壓的負(fù)極，于是形成電流。電流的大小與入射X線光子的數(shù)量成正比，這些電流信號(hào)被存儲(chǔ)在TFT的極間電容上。每個(gè)TFT形成一個(gè)采集圖像的最小單元，即像素。每個(gè)像素區(qū)內(nèi)有一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)管，在讀出該像素單元電信號(hào)時(shí)起開(kāi)關(guān)作用。在讀出控制信號(hào)的控制下，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，把存儲(chǔ)于電容內(nèi)的像素信號(hào)逐一按順序讀出、放大，送到A/D轉(zhuǎn)換器，從而將對(duì)應(yīng)的像素電荷轉(zhuǎn)化為數(shù)字化圖像信號(hào)。關(guān)于該平板探測(cè)器的敘述錯(cuò)誤的是（）
CR系統(tǒng)中，直接記錄X線影像信息的載體是（）DR使用的檢測(cè)裝置是（）
關(guān)于CR的工作原理，正確的是（）
關(guān)于IP的敘述錯(cuò)誤的是（）
屏／片系統(tǒng)成像與數(shù)字平板X(qián)線攝影的共同之處是（）
CR系統(tǒng)用成像板（IP）來(lái)接收X線的模擬信息，然后經(jīng)過(guò)模／數(shù)轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)影像的數(shù)字化。對(duì)IP的曝光過(guò)程就是信息采集。關(guān)于CR的信息采集敘述錯(cuò)誤的是（）
直接FPD可以由（）直接獲得像素位置信息
直接平板探測(cè)器的線性度范圍是（）