填空題材料經(jīng)過(guò)滲碳熱處理后一般要經(jīng)過(guò)（）和（）。
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下列是晶體的是（）。
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屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
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一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
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制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
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鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
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與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
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載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
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原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
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下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
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可用作硅片的研磨材料是（）
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