懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

下列是晶體的是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）