問(wèn)答題簡(jiǎn)述多層印制電路基板制造工藝？
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最新試題
根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是無(wú)源電阻？什么是有源電阻？舉例說(shuō)明。
題型：?jiǎn)柎痤}
材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類(lèi)（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫(xiě)出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語(yǔ)句并作差模電流-電壓特性分析。
題型：?jiǎn)柎痤}
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫(huà)出Vx從一個(gè)大的正值下降時(shí)Ix的草圖。
題型：?jiǎn)柎痤}