為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。