版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。