A、3個試件的測值有出現(xiàn)負(fù)值的,應(yīng)先把負(fù)值取為0再進(jìn)行計算與結(jié)果確定
B、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
C、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,取中間值作為測定值
D、按選項A處理后,當(dāng)3個試件的測值中2個極值均與中間值之差超過1%時,試驗結(jié)果無效
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A、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取其余2個測值的算術(shù)平均值為強(qiáng)度測定值
B、當(dāng)3個試件的測值中有1個且僅有1個極值超過中間值的15%時,取中間值為強(qiáng)度測定值
C、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,取中間值為強(qiáng)度測定值
D、當(dāng)3個試件的測值中2個極值均超過中間值的15%時,強(qiáng)度試驗結(jié)果無效
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、已達(dá)到規(guī)定的循環(huán)次數(shù)
B、試件的相對動彈性模量下降到60%
C、試件抗壓強(qiáng)度損失率已達(dá)到25%
D、試件質(zhì)量損失率已達(dá)到5%
A、冷凍時間不應(yīng)少于4h
B、融化時間不應(yīng)少于4h
C、冷凍時間不應(yīng)少于8h
D、融化時間不應(yīng)少于8h
A、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為(18~20)℃的水,加水時間不應(yīng)超過10min
B、冷凍結(jié)束后,應(yīng)即加入溫度為100℃的熱水,加水時間不應(yīng)超過10min
C、溫控系統(tǒng)應(yīng)確保在30min內(nèi),水溫不低于10℃,且在30min后水溫能保持在(18~20)℃
D、箱內(nèi)水面應(yīng)至少高出試件表面20mm
最新試題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
硅片拋光在原理上不可分為()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
改良西門子法的顯著特點不包括()