A、15%
B、20%
C、25%
D、30%
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A、30mm.20mm
B、30mm.25mm
C、25mm.20mm
D、25mm.10mm
A.390mm×190㎜×190mm
B.390㎜×240㎜×190㎜
C.490mmX370mmX370mm
D.370mmX240mmX240㎜
A、100mm×100mm×100mm.2組
B、100mm×100mm×100mm.3組
C、100mm×100mm×300mm.2組
D、100mm×100mm×400mm.2組
A、20±5
B、20±3
C、30±3
D、40±5
A、1.2
B、2.4
C、3.6
D、1.5.3
最新試題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()