單項(xiàng)選擇題DDRII內(nèi)存擁有（）個(gè)引腳。
A.169
B.240
C.184
D.200
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1.單項(xiàng)選擇題新標(biāo)準(zhǔn)DDRII內(nèi)存只需要（）V電壓就可以正常工作。
A.1.5
B.1.7
C.1.8
D.2.5
2.單項(xiàng)選擇題DDRII內(nèi)存采用（）封裝形式，可以提供更好的電氣性能與散熱性。
A.FBGA
B.TSOP
C.BGA
D.BGA
3.單項(xiàng)選擇題DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的（）倍。
A.0
B.1.5
C.2
D.4
4.單項(xiàng)選擇題DDR數(shù)據(jù)頻率等于時(shí)鐘頻率的（）倍，核心頻率是時(shí)鐘頻率的（）倍。
A.2，2
B.2、0
C.2，4
D.2，1.5
5.單項(xiàng)選擇題內(nèi)存頻率細(xì)分為（）、（）和（）三種頻率。
A.數(shù)據(jù)，存取周期，DRAM核心
B.數(shù)據(jù)，時(shí)鐘，SRAM核心
C.數(shù)據(jù)、時(shí)鐘、DRAM核心
D.地址，時(shí)鐘，DRAM核心
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題型：單項(xiàng)選擇題