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單項選擇題DDRII內(nèi)存采用（）封裝形式，可以提供更好的電氣性能與散熱性。

A.FBGA
B.TSOP
C.BGA
D.BGA

1.單項選擇題DDRII數(shù)據(jù)頻率是核心頻率的（）倍。

A.0
B.1.5
C.2
D.4

2.單項選擇題DDR數(shù)據(jù)頻率等于時鐘頻率的（）倍，核心頻率是時鐘頻率的（）倍。

A.2，2
B.2、0
C.2，4
D.2，1.5

3.單項選擇題內(nèi)存頻率細(xì)分為（）、（）和（）三種頻率。

A.數(shù)據(jù)，存取周期，DRAM核心
B.數(shù)據(jù)，時鐘，SRAM核心
C.數(shù)據(jù)、時鐘、DRAM核心
D.地址，時鐘，DRAM核心

4.單項選擇題 DDR SDRAM每個時鐘周期內(nèi)只能通過總線傳輸（）次數(shù)據(jù)。而DDRII SDRAM則可以傳送（）次數(shù)據(jù)。

A.2，6
B.4，6
C.2，4
D.4，8

5.單項選擇題內(nèi)存多手指的兩種制造方法是（）

A.電鍍和化學(xué)鍍
B.焊鍍和化學(xué)鍍
C.電鍍和物理鍍
D.焊鍍和物理鍍