單項選擇題內(nèi)存頻率細分為（）、（）和（）三種頻率。
A.數(shù)據(jù)，存取周期，DRAM核心
B.數(shù)據(jù)，時鐘，SRAM核心
C.數(shù)據(jù)、時鐘、DRAM核心
D.地址，時鐘，DRAM核心
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1.單項選擇題
DDR SDRAM每個時鐘周期內(nèi)只能通過總線傳輸（）次數(shù)據(jù)。而DDRII SDRAM則可以傳送（）次數(shù)據(jù)。
A.2，6
B.4，6
C.2，4
D.4，8
2.單項選擇題內(nèi)存多手指的兩種制造方法是（）
A.電鍍和化學鍍
B.焊鍍和化學鍍
C.電鍍和物理鍍
D.焊鍍和物理鍍
3.單項選擇題ECC中文準確解釋為（）
A、錯誤檢查
B、錯誤糾正
C、自動錯誤檢查與糾正
D、綜合性能
4.單項選擇題RDRAM[RAMBUS]內(nèi)存技校使用的中（）位內(nèi)存總線。
A.16
B.32
C.64
D.128
5.單項選擇題具備ECC校驗功能的內(nèi)存條，每一面有（）片內(nèi)存顆粒。
A.4
B.7
C.8
D.9
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