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化學(xué)機械拋光(CMP)帶來的一個顯著的質(zhì)量問題是表面微擦痕。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū),可能引起同一層金屬之間的斷路。
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蒸發(fā)最大的缺點是不能產(chǎn)生均勻的臺階覆蓋,但是可以比較容易的調(diào)整淀積合金的組分
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LPCVD緊隨PECVD的發(fā)展而發(fā)展。由660℃降為450℃,采用增強的等離子體,增加淀積能量,即低壓和低溫。
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