A.體積小
B.惡劣的條件也能使用
C.總是有較強的γ射線
D.產(chǎn)額基本都能做的很高
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A.252Cf是常見的自發(fā)裂變中子源
B.不會有γ射線產(chǎn)生
C.中子產(chǎn)額非常低,需要較大體積的源
D.半衰期較長,使用數(shù)年源的性能也不會有明顯降低
A.是(γ,n)型中子源
B.中子能量連續(xù)分布
C.半衰期不長,一般能連續(xù)使用1個月左右就需要更換
D.中子源的半衰期只有15小時
A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源,不產(chǎn)生其他射線
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達到MeV量級
A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應產(chǎn)生中子
D.與α射線反應產(chǎn)生中子
A.(β,n)型中子源
B.(α,n)型中子源
C.(γ,n)型中子源
D.自發(fā)裂變中子源
A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子
A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當β射線強度大,能量高,而γ射線強度低時,軔致輻射影響更顯著
A.超出了最大能量,是系統(tǒng)弄錯了,應該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件,系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度,這個峰的計數(shù)應該會升高
A.反符合技術可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰
A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比,電子學分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變,源的活度越大則真偶符合比越大
最新試題
關于中子的彈性、非彈性散射,下列說法錯誤的是()。
下列關于符合曲線描述錯誤的是()。
下列對中子與原子核的反應截面的描述不正確的是()。
關于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是()。
關于符合的描述,下列說法正確的是()。
改變下列哪項不會對活度探測產(chǎn)生明顯影響?()
吸收和散射對探測器活度測量也有影響,下列說法錯誤的是()。
同位素中子源不包括哪一種?()
關于加速器中子源,描述錯誤的是()。
對于β射線活度測量的諸多修正的描述錯誤的是()。