單項選擇題下列關于同位素源的特點的描述不正確的是（）。

A.體積小
B.惡劣的條件也能使用
C.總是有較強的γ射線
D.產(chǎn)額基本都能做的很高


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1.單項選擇題關于自發(fā)裂變中子源的描述正確的是（）。

A.252Cf是常見的自發(fā)裂變中子源
B.不會有γ射線產(chǎn)生
C.中子產(chǎn)額非常低，需要較大體積的源
D.半衰期較長，使用數(shù)年源的性能也不會有明顯降低

2.單項選擇題關于24Na-9Be中子源的描述不正確的是（）。

A.是（γ，n）型中子源
B.中子能量連續(xù)分布
C.半衰期不長，一般能連續(xù)使用1個月左右就需要更換
D.中子源的半衰期只有15小時

3.單項選擇題關于241Am-9Be中子源的描述不正確的是（）。

A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源，不產(chǎn)生其他射線
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達到MeV量級

4.單項選擇題常見的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。

A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應產(chǎn)生中子
D.與α射線反應產(chǎn)生中子

5.單項選擇題同位素中子源不包括哪一種？（）

A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自發(fā)裂變中子源

6.單項選擇題下列哪種中子的波長最短？（）

A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子

7.單項選擇題軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。

A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當β射線強度大，能量高，而γ射線強度低時，軔致輻射影響更顯著

8.單項選擇題測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數(shù)的分析正確的是（）。

A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯了，應該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度，這個峰的計數(shù)應該會升高

9.單項選擇題下列對γ能譜的描述，錯誤的是（）。

A.反符合技術可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰

10.單項選擇題下列對真偶符合比的描述正確的是（）。

A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大