單項選擇題關(guān)于241Am-9Be中子源的描述不正確的是（）。

A.中子產(chǎn)額2.2×106n/s/Ci
B.是純凈的中子源，不產(chǎn)生其他射線
C.半衰期431年
D.中子能量平均值達(dá)到MeV量級


您可能感興趣的試卷

你可能感興趣的試題

1.單項選擇題常見的241Am-9Be中子源中，9Be的作用是（）。

A.吸收部分產(chǎn)生的中子
B.產(chǎn)生α粒子
C.與γ射線反應(yīng)產(chǎn)生中子
D.與α射線反應(yīng)產(chǎn)生中子

2.單項選擇題同位素中子源不包括哪一種？（）

A.（β，n）型中子源
B.（α，n）型中子源
C.（γ，n）型中子源
D.自發(fā)裂變中子源

3.單項選擇題下列哪種中子的波長最短？（）

A.熱中子
B.冷中子
C.甚冷中子
D.超冷中子

4.單項選擇題軔致輻射對γ能譜的影響，描述錯誤的是（）。

A.軔致輻射計數(shù)集中在低能區(qū)
B.軔致輻射的來源其實是β射線
C.軔致輻射可以被理想屏蔽所去除
D.當(dāng)β射線強度大，能量高，而γ射線強度低時，軔致輻射影響更顯著

5.單項選擇題測量能量10keV的γ射線，觀察到了在20keV處有一個明顯的峰，對于這些計數(shù)的分析正確的是（）。

A.超出了最大能量，是系統(tǒng)弄錯了，應(yīng)該把這些計數(shù)去掉
B.可能同時發(fā)生了兩個能量完全沉積的事件，系統(tǒng)把這兩個10keV的計數(shù)合成為了一個20keV的計數(shù)
C.這個峰大部分計數(shù)的來源應(yīng)該是環(huán)境的射線影響
D.降低γ射線強度，這個峰的計數(shù)應(yīng)該會升高

6.單項選擇題下列對γ能譜的描述，錯誤的是（）。

A.反符合技術(shù)可以用于甄別康普頓事件
B.反散射峰與特征X射線峰來自于環(huán)境
C.全能峰就是光電峰
D.單逃逸峰的能量大于雙逃逸峰

7.單項選擇題下列對真偶符合比的描述正確的是（）。

A.符合測量對真偶符合比沒有要求
B.為保證高的真偶符合比，電子學(xué)分辨時間小一些好
C.真偶符合比必定是大于1的
D.其他條件不變，源的活度越大則真偶符合比越大

8.單項選擇題對偶然符合描述正確的是（）。

A.偶然符合在低計數(shù)率情況下更常見
B.偶然符合的事件同時發(fā)生且相關(guān)
C.偶然的情況下同時到達(dá)符合電路的非關(guān)聯(lián)事件引起的符合
D.不相關(guān)的事件都可以認(rèn)為屬于偶然符合

9.單項選擇題下列關(guān)于符合曲線描述錯誤的是（）。

A.符合曲線是指延遲關(guān)系變化時，符合計數(shù)率的變化曲線
B.信號的時間離散對符合曲線有影響
C.理想的電子學(xué)瞬時符合曲線是矩形的
D.符合分快符合與慢符合，快符合的符合曲線寬度主要由電子學(xué)分辨時間決定

10.單項選擇題關(guān)于延遲符合，下列描述錯誤的是（）。

A.延遲符合改變了相關(guān)事件發(fā)生的物理過程
B.延遲符合的順利實現(xiàn)需要對相關(guān)事件的物理過程有深入了解
C.延遲符合功能可以通過電子學(xué)系統(tǒng)實現(xiàn)的
D.相關(guān)事件不同時時，一般可以考慮利用延遲符合技術(shù)