填空題

半導(dǎo)體材料的缺陷主要有（）

答案：點缺陷、位錯、層錯、孿晶

你可能感興趣的試題

集成電路用單晶硅的主要制備方法是（）

答案：提拉法和區(qū)熔法

摩爾定律的主要內(nèi)容是（）。

答案：晶體管特征尺寸每三年減小到約70%，30年內(nèi)有效，也可表示為集成電路的特征尺寸每三年縮小30%；集成度每三年翻二翻，集成...