A.隨著深度的增加而提高
B.隨著探頭中心間距減小而提高
C.隨著脈沖寬度的減小而提高
D.以上都對(duì)
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A.為減小測(cè)量缺陷信號(hào)與測(cè)量誤差，必須仔細(xì)測(cè)量出所使用的耦合劑厚度
B.如果測(cè)量缺陷信號(hào)與直通波到達(dá)時(shí)間之差，則耦合劑引起的缺陷深度測(cè)量誤差很小
C.如果測(cè)量缺陷信號(hào)到達(dá)的絕對(duì)時(shí)間，則耦合劑引起的測(cè)量誤差很小
D.以上敘述都是錯(cuò)誤的
A.用高精度的長(zhǎng)度尺反復(fù)測(cè)量
B.用專用的激光測(cè)距儀反復(fù)測(cè)量
C.測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)試塊上不同深度反射體的信號(hào)到達(dá)時(shí)間
D.測(cè)量直通波或者底面波信號(hào)尖端信號(hào)到達(dá)的時(shí)間
A.對(duì)缺陷深度測(cè)量精度影響很大
B.對(duì)缺陷高度測(cè)量精度影響很大
C.對(duì)缺陷長(zhǎng)度測(cè)量精度影響很大
D.對(duì)缺陷偏離軸線位置的測(cè)量精度影響很大
A.缺陷深度
B.信號(hào)脈沖的長(zhǎng)度
C.探頭中心間距
D.晶片尺寸
A.嚴(yán)重影響缺陷高度的測(cè)量精度
B.嚴(yán)重影響V形坡口根部缺陷的檢出
C.只在非平行掃查中存在
D.只在平行掃查中存在
最新試題
當(dāng)射線穿透任何一物體時(shí)，部分被物體吸收，部分則穿透該物體，還有一部分則被構(gòu)成該物的原子內(nèi)電子向各方面散射，此散射為（）
調(diào)節(jié)掃描速度時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的水平刻度值。
若評(píng)片燈亮度增為原來(lái)的兩倍，則底片透光度（It/I0）變?yōu)樵瓉?lái)的（）
最容易發(fā)生光電效應(yīng)的射線能量為（）
射線照片上一個(gè)細(xì)節(jié)的影像是否能被眼睛識(shí)別出來(lái)，最主要的是決定于（）
某超聲波探頭，壓電晶片的頻率常數(shù)Nt=1500m/s晶片厚度為0.3mm，則該探頭工作頻率為（）
二次波檢測(cè)是一種特殊的檢測(cè)工藝，以下關(guān)于二次波檢測(cè)的做敘述，哪一條是錯(cuò)誤的（）
以下哪一種措施不能減小上表面盲區(qū)的影響（）
底片的最佳黑度值與觀片燈的亮度有關(guān)，觀片燈亮度改變，最佳黑度值也將改變。
使用變型波檢測(cè)的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是（）