A.SRS的功率控制
B.ICIC控制
C.上行控制信道PUCCH的功率控制
D.上行共享信道PUSCH的功率控制
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A.APP
B.NAS
C.S1AP
D.SCTP
A.空閑態(tài)或連接態(tài)都可以
B.僅空閑態(tài)
C.僅連接態(tài)
A.終端數(shù)據(jù)分段大小
B.終端DRX狀態(tài)
C.終端緩存狀態(tài)
D.終端調(diào)度請(qǐng)求信令
A.1ms
B.10ms
C.5ms
D.20ms
A.萬(wàn)用表
B.光功率計(jì)
C.光纖頭子清潔試紙
D.發(fā)光筆
最新試題
現(xiàn)網(wǎng)中，LTE采用的切換方式為（）
MME的APN配置用于（）和（）的對(duì)應(yīng)關(guān)系
下列關(guān)于TD-LTEE頻段室分系統(tǒng)說(shuō)法正確的是（）
RRC_IDLE狀態(tài)下UE的行為包括（）
定義E-UTRAN架構(gòu)及E-UTRAN接口的工作主要遵循以下基本原則（）
根據(jù)《工業(yè)和信息化部關(guān)于發(fā)布1800和1900兆赫茲頻段國(guó)際移動(dòng)通信系統(tǒng)基站射頻技術(shù)指標(biāo)和臺(tái)站設(shè)置要求的通知》（工信部無(wú)〔2012〕559號(hào)），F(xiàn)DD和TDD方式的IMT系統(tǒng)基站間耦合損耗不小于（）
在PTN網(wǎng)絡(luò)中，每個(gè)基站的LSP屬性按照下表中參數(shù)設(shè)置。其中（）按照無(wú)線側(cè)峰值帶寬設(shè)置。
對(duì)于異系統(tǒng)干擾，在規(guī)劃建設(shè)階段就要關(guān)注（）
收到Msg1消息后，eNodeB通過(guò)（）確定隨機(jī)接入臨時(shí)標(biāo)識(shí)
TD-LTE中，TM8雙流波束賦形模式相比較與TM3模式的速率優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)于（）