單項(xiàng)選擇題TD-LTE中，TM8雙流波束賦形模式相比較與TM3模式的速率優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)于（）
A.中低SINR的情形
B.高SINR的情形
C.所有SINR的情形
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1.單項(xiàng)選擇題天饋測(cè)試過程中，VSWR測(cè)試值為1.5，對(duì)應(yīng)的return loss為（）
A.12dB
B.10dB
C.16dB
D.14dB
2.單項(xiàng)選擇題在PTN網(wǎng)絡(luò)中，每個(gè)基站的LSP屬性按照下表中參數(shù)設(shè)置。其中（）按照無線側(cè)峰值帶寬設(shè)置。
A.PIR
B.CCE
C.PHR
D.CIR
3.單項(xiàng)選擇題隨機(jī)接入過程中使用哪種標(biāo)識(shí)區(qū)分用戶（）
A.C-RNTI
B.RA-RNTI
C.SI-RNTI
D.P-RNTI
4.多項(xiàng)選擇題收到Msg1消息后，eNodeB通過（）確定隨機(jī)接入臨時(shí)標(biāo)識(shí)
A.子幀
B.頻點(diǎn)
C.時(shí)隙
D.起始子載波
5.多項(xiàng)選擇題RRC_IDLE狀態(tài)下UE的行為包括（）
A.NAS配置的DRX過程
B.網(wǎng)絡(luò)側(cè)有UE的上下文信息
C.鄰小區(qū)測(cè)量
D.PLMN選擇
最新試題
RRC_IDLE狀態(tài)下UE的行為包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
哪些屬于TD-LTE室內(nèi)分布單站優(yōu)化范疇（）
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)國(guó)家電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)，天線口輸出的總功率功率不超過（）dBm。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
ICIC（小區(qū)間干擾協(xié)調(diào)）技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)（）
題型：多項(xiàng)選擇題
在MBMS邏輯架構(gòu)中，負(fù)責(zé)傳輸MBMS會(huì)話控制指令的邏輯實(shí)體是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于LTE子幀的描述，不正確的是：（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
LTE規(guī)劃仿真中的詳細(xì)規(guī)劃涉及到的有（）
題型：多項(xiàng)選擇題
隨機(jī)接入過程中使用哪種標(biāo)識(shí)區(qū)分用戶（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
TD-LTE網(wǎng)絡(luò)掉線原因（）
題型：多項(xiàng)選擇題
哪些不是LTE_ACTIVE狀態(tài)UE的移動(dòng)性功能（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題