光刻工藝的特點包括（）。

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

厚膜電阻的成分，一是導體顆粒，二是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

當許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。