A.Km
B.Katt
C.Nx
D.Nk
E.Nd
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A.不同層面的輪廓圖方式表示
B.三維的輪廓圖形方式表示
C.CT值數(shù)據(jù)圖像方式表示
D.DRR圖像方式表示
E.CT值的三維矩陣轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的三維電子密度方式來(lái)表示
A.6~9MeV
B.9~12MeV
C.12~15MeV
D.15~18MeV
E.18~20MeV
A.50厘米
B.25厘米
C.15厘米
D.10厘米
E.5厘米
A.銫-137
B.銥-192
C.鐳-226
D.锎-252
E.碘-125
A.半價(jià)層
B.標(biāo)稱能量
C.TPR 20╱TPR 10
D.模體表面的平均能量
E.模體表面的最可幾能量
最新試題
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
關(guān)于曼徹斯特系統(tǒng)的描述錯(cuò)誤的是()。
射線能量越高,百分深度劑量隨射野面積的改變?cè)叫 ?/p>
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?,錯(cuò)誤的是()。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
對(duì)重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。