A.不同層面的輪廓圖方式表示
B.三維的輪廓圖形方式表示
C.CT值數(shù)據(jù)圖像方式表示
D.DRR圖像方式表示
E.CT值的三維矩陣轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的三維電子密度方式來表示
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A.6~9MeV
B.9~12MeV
C.12~15MeV
D.15~18MeV
E.18~20MeV
A.50厘米
B.25厘米
C.15厘米
D.10厘米
E.5厘米
A.銫-137
B.銥-192
C.鐳-226
D.锎-252
E.碘-125
A.半價(jià)層
B.標(biāo)稱能量
C.TPR 20╱TPR 10
D.模體表面的平均能量
E.模體表面的最可幾能量
A.檢查射野擋塊的劑量衰減
B.檢查射野內(nèi)組織吸收劑量
C.檢查射野內(nèi)劑量分布均勻性
D.檢查射野擋塊的形狀及位置
E.檢查射野內(nèi)劑量分布對稱性
最新試題
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能,另一部分為特征X 射線能量。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
對重離子,線性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
低LET射線照射哺乳動物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡稱分別為QA、QC。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。