A、2MeV/cm
B、2.33MeV/cm
C、3MeV/cm
D、3.33MeV/cm
E、4.33MeV/cm
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A、化學(xué)劑量計(jì)
B、電離室
C、熱釋光
D、半導(dǎo)體
E、膠片
A、優(yōu)點(diǎn):有良好的精確性和準(zhǔn)確性;缺點(diǎn):需要提供高電壓
B、優(yōu)點(diǎn):非常薄,不擾動(dòng)射束;缺點(diǎn):需要用電離室劑量計(jì)作適當(dāng)校準(zhǔn)
C、優(yōu)點(diǎn):能做成不同形狀;缺點(diǎn):容易丟失讀數(shù)
D、優(yōu)點(diǎn):高靈敏度,不需要外置偏壓;缺點(diǎn):累積劑量會(huì)改變靈敏度
E、優(yōu)點(diǎn):能夠作為點(diǎn)劑量測(cè)量;缺點(diǎn):需要暗室和處理設(shè)備
A、腫瘤前表面的區(qū)域
B、腫瘤中心的區(qū)域
C、腫瘤后表面的區(qū)域
D、最大劑量深度點(diǎn)的區(qū)域
E、電離室中心的區(qū)域
A、3500cGy
B、5000cGy
C、6000cGy
D、6500cGy
E、10000cGy
A、MR圖像是像素空間定位
B、MR圖像像素灰度表示組織的質(zhì)子密度或熱像信息
C、核磁共振梯度磁場(chǎng)不均勻
D、MR圖像偽影干擾
E、MR圖像不能提供定位標(biāo)記
最新試題
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
兩種不同深度處的百分深度劑量比值稱為射線質(zhì)指數(shù)或能量指數(shù)。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度,也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
電離室型劑量?jī)x在每次測(cè)量前必需對(duì)氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū),提示()。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。