A、α
B、β
C、αβ
D、α/β
E、α+β
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A、淺層X線
B、高能X線
C、高壓X線
D、深部X線
E、診斷X線
A、腫瘤的形狀
B、腫瘤的體積
C、腫瘤的截面積
D、腫瘤的坐標(biāo)
E、腫瘤的輪廓
A、靶區(qū)定位
B、觀察器官運(yùn)動(dòng)
C、放置射野皮膚標(biāo)記
D、顯示擋塊形狀
E、拍攝射野驗(yàn)證片
A、SI單位是JKg-1m-2
B、描述單位質(zhì)量厚度的輻射能量損失
C、與入射電子的能量成正比
D、與靶原子的原子序數(shù)成反比
E、與靶物質(zhì)的每克電子數(shù)無(wú)關(guān)
A、參考劑量
B、處方劑量
C、劑量均勻性
D、劑量梯度
E、參考點(diǎn)劑量
最新試題
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
射野中心軸上百分深度劑量值的大小直接反應(yīng)了射線質(zhì)(能量)的高低。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。