A.幾何半影
B.穿射半影
C.散射半影
D.物理半影
E.有效半影
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A.放射敏感性與增殖能力成正比，與分化程度成反比
B.放射敏感性與增殖能力成反比，與分化程度成正比
C.放射敏感性與增殖能力及分化程度均成正比
D.放射敏感性只與增殖能力有關(guān)
E.放射敏感性只與分化程度有關(guān)
A.0.5倍
B.0.85倍
C.1.0倍
D.1.18倍
E.1.55倍
A.局部劑量高且LET高
B.局部劑量低且LET低
C.局部劑量高但LET低
D.局部劑量低但LET高
E.以上均錯(cuò)誤
A.低LET射線存在亞致死損傷
B.低LET射線的RBE高
C.高LET射線治療時(shí)劑量改變的影響不顯著
D.低LET射線治療時(shí)存在細(xì)胞修復(fù)
E.低LET射線治療時(shí)細(xì)胞階段的敏感性差異明顯
A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
源皮距越小，百分深度劑量越大。
LET=（）Kev/μm 是高低LET 射線的分界線。
治療證實(shí)是治療準(zhǔn)確執(zhí)行的重要保證，包括驗(yàn)證記錄系統(tǒng)，射野影像系統(tǒng)，活體劑量測(cè)量系統(tǒng)。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
α/β不僅代表了細(xì)胞存活曲線的曲度，也代表了細(xì)胞對(duì)亞致死損傷的修復(fù)能力。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率，加速器高于鈷60機(jī)。
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
等效射野指的是通過計(jì)算換算后的方形野。