A.低LET射線存在亞致死損傷
B.低LET射線的RBE高
C.高LET射線治療時(shí)劑量改變的影響不顯著
D.低LET射線治療時(shí)存在細(xì)胞修復(fù)
E.低LET射線治療時(shí)細(xì)胞階段的敏感性差異明顯
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A.增益比
B.治療比
C.標(biāo)準(zhǔn)劑量比
D.參考劑量比
E.耐受比
A.窄束
B.寬束
C.平行寬束
D.平行寬束和單一能量
E.平行窄束和單一能量
A.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的能量損失份額
B.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位厚度的相互作用幾率
C.帶電粒子與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的能量損失份額
D.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,單位質(zhì)量厚度的相互作用幾率
E.X(γ)射線與物質(zhì)相互作用中,強(qiáng)度衰減一半時(shí)的物質(zhì)厚度
A.小野集束照射,劑量分布集中
B.小野集束照射,靶區(qū)周邊劑量變化梯度較大
C.靶區(qū)內(nèi)及附近劑量分布不均勻
D.靶周邊正常組織劑量很小
E.劑量分布呈菱形
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.412;2.7d
E.0.412;5.27a
最新試題
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。
組織最大劑量比TMR 和源皮距的關(guān)系是()。
質(zhì)子束的優(yōu)勢(shì)在于布拉格峰形百分深度劑量分布。
影響靶點(diǎn)位置精確度的因素包括機(jī)械精度,定位精度和擺位精度。
電磁掃描調(diào)強(qiáng)不僅具有X 射線光子的利用率高、治療時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn),而且可實(shí)現(xiàn)電子束、質(zhì)子束的調(diào)強(qiáng)治療。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線能量。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對(duì)劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級(jí)準(zhǔn)直器。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。