單項(xiàng)選擇題腫瘤組織內(nèi)的克隆源性細(xì)胞數(shù)，通常用腫瘤的（）表示。
A.SF2
B.Tpot
C.T分期
D.N分期
E.M分期
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1.單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)規(guī)定，單平面插植最多使用9根放射源，三角形雙平面插植最多也使用9根放射源，而正方形排列為（）根放射源。
A.8
B.9
C.10
D.11
E.12
2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯(cuò)誤的是（）
A.所有的放射源的線比釋動能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時(shí)各直線源強(qiáng)度及長度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長方形或等邊三角形
3.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，輻射平面的面積決定周邊源與中心源強(qiáng)度之比，當(dāng)面積小于25cm2時(shí)，二者的比值是（）
A.1/4
B.1/3
C.1/2
D.2/3
E.4/5
4.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，若放射源不能形成封閉的輻射平面，則治療的面積會有所減少，一般單側(cè)無交叉，面積減少（）
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
E.25%
5.單項(xiàng)選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
最新試題
準(zhǔn)直器所產(chǎn)生的散射線對劑量的貢獻(xiàn)主要源于二級準(zhǔn)直器。
題型：判斷題
“4R”描述的是影響腫瘤和正常組織的輻射生物效應(yīng)因素。
題型：判斷題
半影為射野邊緣劑量隨離開中心軸距離增加而急劇變化的范圍。
題型：判斷題
關(guān)于組織補(bǔ)償?shù)拿枋?，錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
光電效應(yīng)時(shí)入射X（γ）光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級電子動能，另一部分為特征X 射線能量。
題型：判斷題
百分深度劑量受照射野面積的影響。
題型：判斷題
電離室型劑量儀在每次測量前必需對氣溫和氣壓進(jìn)行修正。
題型：判斷題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動能率相等。
題型：判斷題
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí)，應(yīng)采用雙平面插植。
題型：判斷題
射線能量越高，百分深度劑量隨射野面積的改變越小。
題型：判斷題