單項(xiàng)選擇題巴黎系統(tǒng)規(guī)定，單平面插植最多使用9根放射源，三角形雙平面插植最多也使用9根放射源，而正方形排列為（）根放射源。
A.8
B.9
C.10
D.11
E.12
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1.單項(xiàng)選擇題關(guān)于巴黎系統(tǒng)的插植基本規(guī)則，描述錯(cuò)誤的是（）
A.所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等
B.放射源是相互平行的直線源
C.插植時(shí)各直線源強(qiáng)度及長(zhǎng)度相等
D.各源的中心在同一平面，即中心平面
E.多平面插植放射源排列為長(zhǎng)方形或等邊三角形
2.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，輻射平面的面積決定周邊源與中心源強(qiáng)度之比，當(dāng)面積小于25cm2時(shí)，二者的比值是（）
A.1/4
B.1/3
C.1/2
D.2/3
E.4/5
3.單項(xiàng)選擇題曼徹斯特系統(tǒng)規(guī)定，若放射源不能形成封閉的輻射平面，則治療的面積會(huì)有所減少，一般單側(cè)無交叉，面積減少（）
A.5%
B.10%
C.15%
D.20%
E.25%
4.單項(xiàng)選擇題采用等中心方法，拍攝兩張互相垂直的影象片，此種放射源的定位技術(shù)稱為（）
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
5.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代近距離照射中，模擬線源時(shí)假設(shè)駐留位為N，相鄰駐留位之間的距離為S，則距離源（）之內(nèi)，模擬源的劑量分布為波浪形，且離放射源距離越近越明顯。
A.N/2
B.S/2
C.NS
D.N/S
E.S/N
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低LET射線照射哺乳動(dòng)物細(xì)胞存活曲線在低劑量段有肩區(qū)，提示（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
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