單項(xiàng)選擇題電子束百分深度劑量隨源皮距增加而變化的特點(diǎn)，哪項(xiàng)錯(cuò)誤（）

A.表面劑量增加
B.最大劑量深度變深
C.X射線污染增加
D.劑量梯度變陡
E.高能電子束較低能電子束變化顯著


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1.單項(xiàng)選擇題OUF因子與Sc，Sp，Scp的關(guān)系表達(dá)式是（）

A.Sp（FSZ）=Scp/OUF=Scp/Sc
B.Sp（FSZ）=OUF/Scp=Sc/Scp
C.Sc=Scp/OUF=Scp/Sp
D.Sc=OUF/Scp=Sp/Scp
E.OUF=（Sc+Sp）/Scp

2.單項(xiàng)選擇題關(guān)于照射野對(duì)百分深度劑量的影響，哪項(xiàng)錯(cuò)誤（）？

A.照射野越大，影響越大
B.電子束射程越短，影響越大
C.低能時(shí)，影響較大
D.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的1/2時(shí)，影響較小
E.當(dāng)照射野的直徑大于電子束射程的2/3時(shí)，影響較大

3.單項(xiàng)選擇題無(wú)限大射野內(nèi)任意離軸點(diǎn)的劑量率與相同深度處中心軸上相應(yīng)點(diǎn)的劑量率之比是（）

A.原射線的離軸比
B.射野的邊界因子
C.射野的對(duì)稱性
D.射野的平坦度
E.射野的均質(zhì)性

4.單項(xiàng)選擇題能調(diào)節(jié)各射野照射靶區(qū)內(nèi)某一點(diǎn)的時(shí)間的方式是（）

A.一維物理楔形板
B.動(dòng)態(tài)楔形板
C.多葉準(zhǔn)直器動(dòng)態(tài)掃描
D.多葉準(zhǔn)直器靜態(tài)掃描
E.筆形束電磁掃描

5.單項(xiàng)選擇題在小照射野條件下，應(yīng)用平行板電離室測(cè)量較低能量的電子束劑量分布劣于半導(dǎo)體探頭的原因是（）

A.體積較大
B.對(duì)側(cè)向散射反應(yīng)不靈敏
C.受“熱效應(yīng)”影響大
D.易受環(huán)境及溫度影響
E.受照射野大小影響