A.MTD
B.MCD
C.TCP/NTCP
D.NTCP/TCP
E.SI
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A.治療技術(shù)
B.放射源強(qiáng)度
C.參考區(qū)定義
D.參考點(diǎn)劑量
E.治療區(qū)定義
A.正交技術(shù)
B.立體平移技術(shù)
C.立體交角技術(shù)
D.立體斜交技術(shù)
E.旋轉(zhuǎn)技術(shù)
A.毫克鐳當(dāng)量
B.參考照射量率
C.顯活度
D.空氣比釋動(dòng)能強(qiáng)度
E.空氣比釋動(dòng)能率常數(shù)
A.毫克鐳當(dāng)量
B.參考照射量率
C.顯活度
D.空氣比釋動(dòng)能強(qiáng)度
E.空氣比釋動(dòng)能率常數(shù)
A.0.83;1590a
B.1.25;5.27a
C.0.662;33.0a
D.0.36;74.2d
E.0.028;59d
最新試題
利用圓形小野旋轉(zhuǎn)集束照射是X(γ)射線SRT(SRS)的基本特征。
低LET射線的RBE值()1.0,高LET射線的RBE值()2.0。
實(shí)際患者治療時(shí),無(wú)環(huán)重定位技術(shù)的靶點(diǎn)位置總的治療精度稍劣于有環(huán)技術(shù)。
隨能量增大,光電效應(yīng)發(fā)生的概率迅速減小。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
帶電粒子與物質(zhì)的一次相互作用可以損失其能量的全部或很大一部分。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線比釋動(dòng)能率相等。
對(duì)鈷60機(jī)射野的對(duì)稱性和平坦度的檢查應(yīng)每月一次。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱分別為QA、QC。