A.R85/2
B.U90/50
C.L90/L50
D.P80/20
E.U80/20
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A.能譜窄
B.劑量跌落更陡峭
C.較低的X線(xiàn)污染
D.采用類(lèi)似電視光柵式掃描或螺旋式掃描的方法
E.易形成電子束不規(guī)則調(diào)強(qiáng)射野
A.明尼蘇達(dá)大學(xué)醫(yī)院
B.斯坦福大學(xué)醫(yī)學(xué)院
C.洛杉磯大學(xué)醫(yī)學(xué)院
D.波士頓大學(xué)醫(yī)學(xué)院
E.約翰霍普金斯大學(xué)附屬醫(yī)院
A.皮膚癌
B.黑色素瘤
C.覃樣霉菌病
D.乳腺癌
E.胸腺瘤
A.旋轉(zhuǎn)照射時(shí),百分深度劑量提高
B.旋轉(zhuǎn)照射時(shí),最大劑量深度后的劑量梯度變得陡峭
C.旋轉(zhuǎn)照射時(shí),皮膚劑量減少
D.旋轉(zhuǎn)照射時(shí),X射線(xiàn)劑量相對(duì)減少
E.二者均以靶區(qū)后緣深度作為治療深度選擇能量
A.≥2倍
B.≥1.5倍
C.≤1/2倍
D.≤1/4倍
E.相似
最新試題
巴黎系統(tǒng)的插植規(guī)定所有的放射源的線(xiàn)比釋動(dòng)能率相等。
檢查燈光野與射野的一致性通常用膠片法。
源皮距越小,百分深度劑量越大。
光電效應(yīng)時(shí)入射X(γ)光子的能量一部分轉(zhuǎn)化為次級(jí)電子動(dòng)能,另一部分為特征X 射線(xiàn)能量。
低LET射線(xiàn)的RBE值()1.0,高LET射線(xiàn)的RBE值()2.0。
帶電粒子入射到物體時(shí),沒(méi)有確定的射程。
巴黎系統(tǒng)規(guī)定臨床靶區(qū)的厚度T大于1.2cm 時(shí),應(yīng)采用雙平面插植。
質(zhì)量保證和質(zhì)量控制的簡(jiǎn)稱(chēng)分別為QA、QC。
對(duì)射野輸出劑量的檢測(cè)頻率,加速器高于鈷60機(jī)。
對(duì)重離子,線(xiàn)性碰撞本領(lǐng)是選擇組織替代材料的首要條件。